在紐倫堡舉行的電子功率器件、智能傳送、電源質(zhì)量博覽會(PCIM)上，英飛凌科技公司展出IHM/IHV B系列的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊。

運(yùn)用這個(gè)全新的模塊，用戶可設(shè)計(jì)出能夠在嚴(yán)酷的環(huán)境下正常工作，全面滿足大負(fù)荷與溫度循環(huán)要求的高效功率變頻器。全新模塊擴(kuò)展了英飛凌上一代IHM-A模塊的功能和規(guī)格，實(shí)現(xiàn)了熱阻性能的改善和負(fù)荷循環(huán)能力的提高，并將運(yùn)行溫度提高至+150℃。

與同等尺寸的傳統(tǒng)變頻器相比，基于這種全新高功率模塊設(shè)計(jì)的變頻器的功率可提高50%。同時(shí)，因?yàn)镮HM/IHV B模塊優(yōu)良的熱性能，運(yùn)用他設(shè)計(jì)的變頻器的輸出電流在典型的工礦下可以使得輸出電流的能力提高50% 。這種全新模塊的最大運(yùn)行溫度也從先前+125℃上升至+150℃。英飛凌還將這種模塊的最小貯存溫度從先前-40℃降低至-55℃。

英飛凌已經(jīng)交付了1000多萬套IHM-A模塊，市場份額高達(dá)30%左右。IHM/IHV B模塊與成熟IHM-A系列產(chǎn)品完全兼容，能夠讓用戶在不改變產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的情況下，進(jìn)行更新?lián)Q代。

除改進(jìn)熱阻性能外，全新模塊還可滿足一些要求非常苛刻的應(yīng)用對耐用性與可靠性的要求。在啟動(dòng)與停止階段，這些牽引驅(qū)動(dòng)裝置的溫度有很大的波動(dòng)。

HM/IHV B模塊的電流能夠做到3，600A以上，電壓級別包括：1200V、1700V和3300V。1200V模塊中使用的晶體管基于全新英飛凌IGBT4技術(shù)。1700V和3300V模塊中的晶體管使用基于英飛凌TrenchStop/電場截止工藝的IGBT3技術(shù)，與先前的模塊相比，大幅度削減了正向?qū)妷骸?/p>

這些新型模塊符合RoHS要求，并滿足NFF16-101和16-102的防火要求。它們都在德國Warstein生產(chǎn)，IGBT和二極管芯片在奧地利菲拉赫制造。

額定電流為1，500A的兩款3，300V IHM/IHV B模塊——FZ1500R33HL3(帶有IGBT3家族的軟性IGBT) 和FZ1500R33HE3(運(yùn)用高速IGBT3芯片).