制造商 | Infineon | 產(chǎn)品種類 | IGBT 模塊 |
產(chǎn)品 | IGBT Silicon Modules | 配置 | Single Dual Emitter |
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO | 1200 V | 在25 C的連續(xù)集電極電流 | 510 A |
最大工作溫度 | + 125 C | 封裝 / 箱體 | 62MM |
柵極/發(fā)射極最大電壓 | +/- 20 V | 最小工作溫度 | - 40 C |
安裝風格 | Screw | 工廠包裝數(shù)量 | 10 |