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產(chǎn)品展示
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  • 名稱:CM400DX-24S1
  • 進口原裝三菱IGBT模塊 CM400DX-24S1 KUX
  • 產(chǎn)品詳細說明

    三菱CM450DX-24S1與英飛凌FF450R12ME4比對

    CM450DX-24S1為三菱6.1代NX系列450A/1200V IGBT模塊,主要應(yīng)用在100KW光伏逆變器,電機驅(qū)動,電源等領(lǐng)域,CM450DX-24S1性能特點如下:
    (1)采用第6代IGBT硅片技術(shù)(CSTBT),實現(xiàn)更低損耗;
    (2)硅片結(jié)溫可高達175℃;
    (3)硅片運行溫度最高可達150℃;
    (4)封裝與三菱第6代CM450DX-24S及英飛凌FF450R12ME4兼容,且有性價比優(yōu)勢;
    (5)內(nèi)部集成NTC測溫電阻;
    (6)VisoI = 4000Vrms,其他對應(yīng)的型號絕緣耐壓為2500Vrms;
    (7)低損耗,低EMI噪聲,高可靠性,高運行結(jié)溫;
    (8)該系列不同容量模塊(CM225DX-24S1,CM300DX-24S1,CM600DX-24S1)封裝相同。
    CM450DX-24S1,CM450DX-24S及FF450R12ME4封裝形式如下圖:
    CM450DX-24S1,CM450DX-24S及FF450R12ME4封裝形式
    CM450DX-24S1,CM450DX-24S以及FF450R12ME4 450/1200V產(chǎn)品性能對比如下,分別對靜態(tài)特性及開關(guān)特性進行詳細說明,由下面的分析可以得出CM450DX-24S1的整體性能與FF450R12ME4趨勢接近,參數(shù)指標更有優(yōu)勢。
    1.靜態(tài)特性對比
    CM450DX-24S1 CM450DX-24S FF450R12ME4 備注
    Ic 450A
    (Tc=107°C)
    450A
    (Tc=119°C)
    450A
    (Tc=100°C)
    集電極直流電流能力
    CM450DX-24S最強
    Ptot 2775W 3405W 2250W 最大允許功耗:
    Ptot(Tc)=(Tvj-Tc)/Rthjc
    VISOL 4000V 2500V 2500V CM450DX-24S1絕緣耐壓最高
    VCEsat 1.7V 1.7V 1.75V FF450R12ME4飽和壓降
    在相同條件下最高,通態(tài)損耗大
    450A/1200V產(chǎn)品靜態(tài)特性對比見下圖:
    6.1th:CM450DX-24S1,6th: CM450DX-24S,競爭對手A: FF450R12ME4
    測試條件: Vge=+15V, Tj=125℃
     
    IGBT模塊靜態(tài)特性
    由上圖可看出在某一集電極工作電流下,6.1代的CM450DX-24S1的飽和壓降與CM450DX-24S一致,比FF450R12ME4略低,從而通態(tài)損耗更低。CM450DX-24S1的二極管采用更快恢復(fù)特性二極管,反向恢復(fù)損耗低,通態(tài)壓降稍高。

    三菱CM450DX-24S1與英飛凌FF450R12ME4比對(2)


    2.開關(guān)特性對比
    CM450DX-24S1 CM450DX-24S FF450R12ME4 備注
    Cres/
    Cies
    0.75nF(MAX)/
    45nF(MAX)
    0.75nF(MAX)/
    45nF(MAX)
    1.55nF(TYP)/
    28nF(TYP)
    FF450R12ME4的密勒電容及
    與輸入電容的比值最大,
    容易形成集電極dv/dt反饋造成寄生
    導(dǎo)通,Cres/Cies應(yīng)該越小越好
    QG 953nC 1050nC 3.3uC FF450R12ME4需要的門極驅(qū)動
    電荷最多,驅(qū)動電流及功耗最高
    Eon 35.8mJ 54.9mJ 28.5mJ CM450DX-24S開通損耗最高
    Eoff 52.4mJ 48.0mJ 61.5mJ FF450R12ME4關(guān)斷損耗最高
    Err 27.9mJ 32.4mJ 55mJ FF450R12ME4二極管
    反向恢復(fù)損耗最高
    Rth(j-c)
    IGBT
    54K/KW 44K/KW 66K/KW FF450R12ME4 IGBT結(jié)到殼熱阻
    最大,結(jié)殼溫差大,不利于散熱
    Rth(j-c)
    Diode
    86K/KW 78K/KW 100K/KW FF450R12ME4 二極管結(jié)到殼熱阻
    最大,結(jié)殼溫差大,不利于散熱
    450A/1200V產(chǎn)品開關(guān)特性對比如下圖:
    6.1th:CM450DX-24S1,6th: CM450DX-24S,競爭對手A: FF450R12ME4
    IGBT模塊開關(guān)特性
    由上圖曲線可看出CM450DX-24S1的通態(tài)損耗、反向恢復(fù)損耗最低,關(guān)斷損耗介于兩者之間。
    450A/1200V產(chǎn)品開關(guān)波形對比(CM450DX-24S vs CM450DX-24S1)
    測試條件: Vcc = 600V, Ic = 450A, VGE = +15/-15V, RG = 0ohm, Tj = 150℃
    IGBT通態(tài)損耗關(guān)斷損耗曲線
     450A/1200V產(chǎn)品二極管反向恢復(fù)波形對比見下圖 (6th vs 6.1th):
    測試條件: Vcc = 600V, Ic = 450A, VGE = +15/-15V, RG = 0ohm, Tj = 150℃
    二極管反向恢復(fù)波形對比
    450A/1200V IGBT模塊功率損耗及結(jié)溫對比見下圖:
    6.1th:CM450DX-24S1,6th: CM450DX-24S,競爭對手A: FF450R12ME4
    Vcc=600V, Io=225Ap, fc=5kHz, P.F=0.8, M=1.0, fo=60Hz, Tjmax=125℃, Ts=90℃
    IGBT模塊功率損耗及結(jié)溫對比
    由上圖可以得出三菱6.1代CM450DX-24S1的整體損耗最低。
    綜上,CM450DX-24S1相對于其他兩種,綜合性能最優(yōu),在現(xiàn)有的系統(tǒng)中無需對結(jié)構(gòu)進行調(diào)整即可與其他型號進行替換使用。
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